經過10來年的發展，目前比亞迪是國內車規IGBT芯片的第一名，占了20%左右的份額。僅次于國際巨頭英飛凌。

另外，比亞迪的IGBT芯片也發展到了第四代了，與國際水平相比，也是處于第一梯隊的，達到了國際頂尖水平了。

經過10來年的發展，目前比亞迪是國內車規IGBT芯片的第一名，占了20%左右的份額。僅次于國際巨頭英飛凌。

另外，比亞迪的IGBT芯片也發展到了第四代了，與國際水平相比，也是處于第一梯隊的，達到了國際頂尖水平了。

區別如下；

1、名稱不同：可控硅晶閘管簡稱為SCR，IGBT的中文名稱為絕緣柵雙極型晶體管。

2、材料不同：IGBT為全控型器件，可控硅為半控型器件。

3、控制方式不同：可控硅是通過電流來控制，IGBT通過電壓來控制。SCR需要電流脈沖驅動開通，一旦開通，通過門極無法關斷。

4、開關頻率不同：可控硅的開關時間較長，所以頻率不能太高，一般在3-5KHZ左右；IGBT的開關頻率較高。IGBT模塊可達30KHZ左右，IGBT單管開關頻率更高，達50KHZ以上。

5、市場前景不同：IGBT在逐步替代晶閘管，可控硅晶閘管在市場上的份額越來越少。

擴展資料

可控硅晶閘管和IGBT的應用：

1、IGBT已經廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

2、可控硅晶閘管被廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。

2022年全球IGBT市場規模將達到60億美元。全球IGBT市場的主要競爭者包括英飛凌、三菱電機、富士電機、安森美，以及ABB等企業，前五大企業的市場份額就已經超過了70%。

1、名稱不同：晶閘管簡稱為SCR，IGBT的中文名稱為絕緣柵雙極型晶體管。

2、材料不同：IGBT為全控型器件，SCR為半控型器件。

3、控制方式不同：SCR是通過電流來控制，IGBT通過電壓來控制。SCR需要電流脈沖驅動開通，一旦開通，通過門極無法關斷。

4、開關頻率不同：SCR的開關時間較長，所以頻率不能太高，一般在3-5KHZ左右；IGBT的開關頻率較高。IGBT模塊可達30KHZ左右，IGBT單管開關頻率更高，達50KHZ以上。

5、市場前景不同：IGBT在逐步替代晶閘管，晶閘管在市場上的份額越來越少。